APTGF75DA60D1G
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| Teilenummer | APTGF75DA60D1G |
| PNEDA Teilenummer | APTGF75DA60D1G |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 355W D1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGF75DA60D1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGF75DA60D1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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APTGF75DA60D1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 355W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D1 |
| Lieferantengerätepaket | D1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Leistung - max 480W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 125A Leistung - max 410W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1.4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Leistung - max 700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 6mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y4-M5 Lieferantengerätepaket Y4-M5 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1200A Leistung - max 2000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 600µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 36.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
