Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FD6M043N08

FD6M043N08

Nur als Referenz

Teilenummer FD6M043N08
PNEDA Teilenummer FD6M043N08
Beschreibung MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.830
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 8 - Feb 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FD6M043N08 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFD6M043N08
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FD6M043N08, FD6M043N08 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 779,12 KB)
PDFFD6M043N08 Datenblatt Cover
FD6M043N08 Datenblatt Seite 2 FD6M043N08 Datenblatt Seite 3 FD6M043N08 Datenblatt Seite 4 FD6M043N08 Datenblatt Seite 5 FD6M043N08 Datenblatt Seite 6 FD6M043N08 Datenblatt Seite 7 FD6M043N08 Datenblatt Seite 8 FD6M043N08 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FD6M043N08 Datasheet
  • where to find FD6M043N08
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FD6M043N08
  • FD6M043N08 PDF Datasheet
  • FD6M043N08 Stock

  • FD6M043N08 Pinout
  • Datasheet FD6M043N08
  • FD6M043N08 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FD6M043N08 Price
  • FD6M043N08 Distributor

FD6M043N08 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePower-SPM™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs148nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6180pF @ 25V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallEPM15
LieferantengerätepaketEPM15

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDME1023PZT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

142mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (1.6x1.6)

SI1970DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

ZXMP6A17DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

637pF @ 30V

Leistung - max

1.81W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FMM22-06PF

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Leistung - max

130W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 25V

Leistung - max

580mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

Kürzlich verkauft

BZT52C22-7-F

BZT52C22-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 22V 500MW SOD123

LD1086D2T33TR

LD1086D2T33TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A D2PAK

SMDB3

SMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 1A SOT23-3

AD820ARZ

AD820ARZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

T495X107K025ATE150

T495X107K025ATE150

KEMET

CAP TANT 100UF 10% 25V 2917

M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

HSMG-C170

HSMG-C170

Broadcom

LED GREEN DIFFUSED CHIP SMD

SI1865DDL-T1-GE3

SI1865DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

IC LOAD SW LVL SHIFT SC70-6

74V2G00STR

74V2G00STR

STMicroelectronics

IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8