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FD6M043N08

FD6M043N08

Nur als Referenz

Teilenummer FD6M043N08
PNEDA Teilenummer FD6M043N08
Beschreibung MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.830
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FD6M043N08 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFD6M043N08
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FD6M043N08, FD6M043N08 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 779,12 KB)
PDFFD6M043N08 Datenblatt Cover
FD6M043N08 Datenblatt Seite 2 FD6M043N08 Datenblatt Seite 3 FD6M043N08 Datenblatt Seite 4 FD6M043N08 Datenblatt Seite 5 FD6M043N08 Datenblatt Seite 6 FD6M043N08 Datenblatt Seite 7 FD6M043N08 Datenblatt Seite 8 FD6M043N08 Datenblatt Seite 9

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FD6M043N08 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePower-SPM™
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs148nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6180pF @ 25V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallEPM15
LieferantengerätepaketEPM15

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 15A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC, 25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF, 1250pF @ 15V

Leistung - max

3W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-HSOP

SI3981DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

CAS325M12HM2

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-REC™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

444A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 400A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 105mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1127nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3000W

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FMM22-06PF

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Leistung - max

130W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

ZXMP6A17DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

637pF @ 30V

Leistung - max

1.81W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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