ES3F V6G
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| Teilenummer | ES3F V6G |
| PNEDA Teilenummer | ES3F-V6G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.714 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ES3F V6G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ES3F V6G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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ES3F V6G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F. | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 980mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 4pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Comchip Technology Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
