EPC2110
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| Teilenummer | EPC2110 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2110 |
| Beschreibung | GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EPC2110 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2110 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2110 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Ta), 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC, 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF, 1250pF @ 15V Leistung - max 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-HSOP |
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