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EPC2110

EPC2110

Nur als Referenz

Teilenummer EPC2110
PNEDA Teilenummer EPC2110
Beschreibung GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Hersteller EPC
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Auf Lager 4.680
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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EPC2110 Ressourcen

Marke EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEPC2110
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
EPC2110, EPC2110 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.445,13 KB)
PDFEPC2110 Datenblatt Cover
EPC2110 Datenblatt Seite 2 EPC2110 Datenblatt Seite 3 EPC2110 Datenblatt Seite 4 EPC2110 Datenblatt Seite 5 EPC2110 Datenblatt Seite 6 EPC2110 Datenblatt Seite 7

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EPC2110 Technische Daten

HerstellerEPC
SerieeGaN®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-FunktionGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds80pF @ 60V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

APTC80A15T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Leistung - max

277W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

IRF6802SDTR1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 13V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric SA

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ SA

APTM08TAM04PG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4530pF @ 25V

Leistung - max

138W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

FMM65-015P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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