EPC2110 Datenblatt
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 60V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 60V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
