EPC2110ENGRT
Nur als Referenz
| Teilenummer | EPC2110ENGRT |
| PNEDA Teilenummer | EPC2110ENGRT |
| Beschreibung | GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 92.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 5 - Mär 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EPC2110ENGRT Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2110ENGRT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2110ENGRT Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 30V Leistung - max 510mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
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