EPC2100
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| Teilenummer | EPC2100 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2100 |
| Beschreibung | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 59.664 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 10 - Apr 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EPC2100 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2100 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2100 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Transphorm Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V Leistung - max 470W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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