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TPD3215M

TPD3215M

Nur als Referenz

Teilenummer TPD3215M
PNEDA Teilenummer TPD3215M
Beschreibung GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Hersteller Transphorm
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Auf Lager 8.640
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TPD3215M Ressourcen

Marke Transphorm
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPD3215M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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TPD3215M Technische Daten

HerstellerTransphorm
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2260pF @ 100V
Leistung - max470W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Vishay Siliconix

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ALD110908SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

820mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDG6322C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

220mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

FDS4895C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 20V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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