QJD1210010
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| Teilenummer | QJD1210010 |
| PNEDA Teilenummer | QJD1210010 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.136 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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QJD1210010 Ressourcen
| Marke | Powerex Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QJD1210010 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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QJD1210010 Technische Daten
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Leistung - max | 1080W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1095pF @ 15V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 |
