EFC2K102NUZTDG
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| Teilenummer | EFC2K102NUZTDG |
| PNEDA Teilenummer | EFC2K102NUZTDG |
| Beschreibung | DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V, |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EFC2K102NUZTDG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EFC2K102NUZTDG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EFC2K102NUZTDG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 33A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 3.8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 3.1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 10-WLCSP (2.98x1.49) |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta), 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC, 7.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF, 750pF @ 10V Leistung - max 1.1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket TSMT8 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 600mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V Leistung - max 380mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SC-89-6 |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 527pF @ 30V, 436pF @ 30V Leistung - max 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
