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DTC124XEFRATL

DTC124XEFRATL

Nur als Referenz

Teilenummer DTC124XEFRATL
PNEDA Teilenummer DTC124XEFRATL
Beschreibung NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.132
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DTC124XEFRATL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTC124XEFRATL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTC124XEFRATL, DTC124XEFRATL Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 855,71 KB)
PDFDTC124XEFRATL Datenblatt Cover
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DTC124XEFRATL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Widerstand - Basis (R1)22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketEMT3

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

24 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

RN1309,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

DRC5143X0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2-B

UNR511VG0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1.5mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

500mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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403C35E12M00000

403C35E12M00000

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