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PDTD114EQAZ

PDTD114EQAZ

Nur als Referenz

Teilenummer PDTD114EQAZ
PNEDA Teilenummer PDTD114EQAZ
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.438
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PDTD114EQAZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTD114EQAZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PDTD114EQAZ, PDTD114EQAZ Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 2.341,98 KB)
PDFPDTD143EQAZ Datenblatt Cover
PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 2 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 3 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 4 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 5 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 6 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 7 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 8 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 9 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 10 PDTD143EQAZ Datenblatt Seite 11

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PDTD114EQAZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang210MHz
Leistung - max325mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-XDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010D-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

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Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

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