DMN61D8LVTQ-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMN61D8LVTQ-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DMN61D8LVTQ-7 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 118 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 7 - Mär 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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DMN61D8LVTQ-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN61D8LVTQ-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMN61D8LVTQ-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Leistung - max | 820mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
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