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DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2022UNS-13
PNEDA Teilenummer DMN2022UNS-13
Beschreibung MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.454
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN2022UNS-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2022UNS-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN2022UNS-13, DMN2022UNS-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 346,79 KB)
PDFDMN2022UNS-13 Datenblatt Cover
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DMN2022UNS-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 10V
Leistung - max1.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerDI3333-8

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

804pF @ 10V

Leistung - max

515mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-HUSON-EP (2x2)

FDG6303N-F169

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

300mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

SI4923DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4920DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4501BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A, 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 15V

Leistung - max

4.5W, 3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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