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SIZF920DT-T1-GE3

SIZF920DT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIZF920DT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIZF920DT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Hersteller Vishay Siliconix
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SIZF920DT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIZF920DT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIZF920DT-T1-GE3, SIZF920DT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 270,65 KB)
PDFSIZF920DT-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SIZF920DT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET® Gen IV
FET-Typ2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Leistung - max3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket8-PowerPair® (6x5)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/599

FET-Typ

4 P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

-

IRFHS9351TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-PQFN (2x2)

STS2DNF30L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

121pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4804CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57.4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2607pF @ 10V

Leistung - max

2.14W

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