CSD87502Q2T
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| Teilenummer | CSD87502Q2T |
| PNEDA Teilenummer | CSD87502Q2T |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 144.294 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD87502Q2T Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87502Q2T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87502Q2T Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 353pF @ 15V |
| Leistung - max | 2.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-WSON (2x2) |
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Hersteller WeEn Semiconductors Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 10V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 15V Leistung - max 2.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
