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DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMHT6016LFJ-13
PNEDA Teilenummer DMHT6016LFJ-13
Beschreibung MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 46.044
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMHT6016LFJ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMHT6016LFJ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMHT6016LFJ-13, DMHT6016LFJ-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 412,2 KB)
PDFDMHT6016LFJ-13 Datenblatt Cover
DMHT6016LFJ-13 Datenblatt Seite 2 DMHT6016LFJ-13 Datenblatt Seite 3 DMHT6016LFJ-13 Datenblatt Seite 4 DMHT6016LFJ-13 Datenblatt Seite 5 DMHT6016LFJ-13 Datenblatt Seite 6 DMHT6016LFJ-13 Datenblatt Seite 7

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  • DMHT6016LFJ-13 Distributor

DMHT6016LFJ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ4 N-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-VDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketV-DFN5045-12

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ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Leistung - max

1.65W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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NDS9948

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

394pF @ 30V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

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