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DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMHT6016LFJ-13
PNEDA Teilenummer DMHT6016LFJ-13
Beschreibung MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 46.044
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMHT6016LFJ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMHT6016LFJ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMHT6016LFJ-13, DMHT6016LFJ-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 412,2 KB)
PDFDMHT6016LFJ-13 Datenblatt Cover
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  • DMHT6016LFJ-13 Distributor

DMHT6016LFJ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ4 N-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-VDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketV-DFN5045-12

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FET-Typ

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60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

394pF @ 30V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-SOIC

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 15V

Leistung - max

220mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A, 4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

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