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CTLDM304P-M832DS TR

CTLDM304P-M832DS TR

Nur als Referenz

Teilenummer CTLDM304P-M832DS TR
PNEDA Teilenummer CTLDM304P-M832DS-TR
Beschreibung MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 2.502
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CTLDM304P-M832DS TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCTLDM304P-M832DS TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
CTLDM304P-M832DS TR, CTLDM304P-M832DS TR Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 823,43 KB)
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CTLDM304P-M832DS TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
Leistung - max1.65W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketTLM832DS

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

139A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V (1kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

562nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15200pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

NTQD6968N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 16V

Leistung - max

1.39W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

EFC4C002NLTDG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 15V

Leistung - max

2.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-XFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

8-WLCSP (6x2.5)

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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