DMG1029SV-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMG1029SV-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMG1029SV-7 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 60V SOT563 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.498.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMG1029SV-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMG1029SV-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMG1029SV-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 500mA, 360mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Leistung - max | 450mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
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