Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIA923AEDJ-T1-GE3

SIA923AEDJ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA923AEDJ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA923AEDJ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 27.486
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIA923AEDJ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA923AEDJ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIA923AEDJ-T1-GE3, SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 353,88 KB)
PDFSIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Cover
SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIA923AEDJ-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIA923AEDJ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIA923AEDJ-T1-GE3
  • SIA923AEDJ-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIA923AEDJ-T1-GE3 Stock

  • SIA923AEDJ-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIA923AEDJ-T1-GE3
  • SIA923AEDJ-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIA923AEDJ-T1-GE3 Price
  • SIA923AEDJ-T1-GE3 Distributor

SIA923AEDJ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 10V
Leistung - max7.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 15mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2788pF @ 1000V

Leistung - max

375W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3

SP8M10FU6TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-DIL™

DMP2240UDM-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 16V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

IRF7503TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

Kürzlich verkauft

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

SHT11

SHT11

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V DTL 3% SMD

NP5Q128A13ESFC0E

NP5Q128A13ESFC0E

Micron Technology Inc.

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

ATSAMD21G18A-AUT

ATSAMD21G18A-AUT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48TQFP

ADM7150ARDZ-5.0

ADM7150ARDZ-5.0

Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 800MA 8SOIC

IR2110PBF

IR2110PBF

Infineon Technologies

IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

BAV99

BAV99

Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

M24512-RMC6TG

M24512-RMC6TG

STMicroelectronics

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8UFDFPN

SUCS62412C

SUCS62412C

Cosel

DC DC CONVERTER 12V

25LC128-I/ST

25LC128-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOP

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

TXH 120-112

TXH 120-112

Traco Power

AC/DC CONVERTER 12V 120W