BSM180D12P2C101
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Teilenummer | BSM180D12P2C101 |
PNEDA Teilenummer | BSM180D12P2C101 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.424 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSM180D12P2C101 Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSM180D12P2C101 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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BSM180D12P2C101 Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 204A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
Leistung - max | 1130W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | - |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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