DF11MR12W1M1B11BOMA1
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| Teilenummer | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Beschreibung | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.978 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
DF11MR12W1M1B11BOMA1, DF11MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Leistung - max | 20mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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