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DMC4050SSD-13

DMC4050SSD-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMC4050SSD-13
PNEDA Teilenummer DMC4050SSD-13
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 55.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC4050SSD-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC4050SSD-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC4050SSD-13, DMC4050SSD-13 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 418,6 KB)
PDFDMC4050SSD-13 Datenblatt Cover
DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 2 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 3 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 4 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 5 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 6 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 7 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 8 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 9 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 10 DMC4050SSD-13 Datenblatt Seite 11

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DMC4050SSD-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.56nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1790.8pF @ 20V
Leistung - max1.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

350mA, 200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

455mA (Ta), 328mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V, 85nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V

Leistung - max

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

NTMD6P02R2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 16V

Leistung - max

750mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

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