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ECH8654-TL-HX

ECH8654-TL-HX

Nur als Referenz

Teilenummer ECH8654-TL-HX
PNEDA Teilenummer ECH8654-TL-HX
Beschreibung INTEGRATED CIRCUIT
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.876
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ECH8654-TL-HX Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerECH8654-TL-HX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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ECH8654-TL-HX Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchPLUS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

65V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3052pF @ 25V

Leistung - max

4.75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

20-SO

SIS902DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 38V

Leistung - max

15.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

VMM650-01F

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

680A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 500A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1440nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-Li

Lieferantengerätepaket

Y3-Li

APTM20AM06SG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 150A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

325nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18500pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

SI4920DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SO

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