VMM650-01F
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| Teilenummer | VMM650-01F | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | VMM650-01F | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 140 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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VMM650-01F Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VMM650-01F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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VMM650-01F Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 680A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 500A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1440nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Y3-Li |
| Lieferantengerätepaket | Y3-Li |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.56nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V Leistung - max 1.17W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 481pF @ 15V, 996pF @ 15V Leistung - max 1.96W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 (Type D) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 460mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 |
