DMC3016LNS-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMC3016LNS-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DMC3016LNS-7 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.235 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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DMC3016LNS-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC3016LNS-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC3016LNS-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Ta), 6.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V Leistung - max 2.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3241pF @ 15V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MC Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MC |
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