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VWM350-0075P

VWM350-0075P

Nur als Referenz

Teilenummer VWM350-0075P
PNEDA Teilenummer VWM350-0075P
Beschreibung MOSFET 6N-CH 75V 340A V2
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.076
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VWM350-0075P Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVWM350-0075P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
VWM350-0075P, VWM350-0075P Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 73,85 KB)
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VWM350-0075P Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
FET-Typ6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.340A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 250A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs450nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallV2-PAK
LieferantengerätepaketV2-PAK

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ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

BSO204PNTMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1513pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

P-DSO-8

ZXMN2A04DN8TC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 10V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

STS2DNF30L

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

121pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A, 26A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1075pF @ 13V

Leistung - max

800mW, 900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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