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FDPC8012S

FDPC8012S

Nur als Referenz

Teilenummer FDPC8012S
PNEDA Teilenummer FDPC8012S
Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 93.132
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDPC8012S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDPC8012S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDPC8012S, FDPC8012S Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 657,67 KB)
PDFFDPC8012S Datenblatt Cover
FDPC8012S Datenblatt Seite 2 FDPC8012S Datenblatt Seite 3 FDPC8012S Datenblatt Seite 4 FDPC8012S Datenblatt Seite 5 FDPC8012S Datenblatt Seite 6 FDPC8012S Datenblatt Seite 7 FDPC8012S Datenblatt Seite 8 FDPC8012S Datenblatt Seite 9 FDPC8012S Datenblatt Seite 10 FDPC8012S Datenblatt Seite 11

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FDPC8012S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A, 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1075pF @ 13V
Leistung - max800mW, 900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerWDFN
LieferantengerätepaketPowerclip-33

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FET-Typ

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Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 20V

Leistung - max

10W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ON Semiconductor

Hersteller

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Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 10V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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FET-Typ

5 N-Channel, Common Source

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 3A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.1mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2565pF @ 10V

Leistung - max

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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