SIS903DN-T1-GE3
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Teilenummer | SIS903DN-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SIS903DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 7.920 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIS903DN-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SIS903DN-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SIS903DN-T1-GE3, SIS903DN-T1-GE3 Datenblatt
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SIS903DN-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen III |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.1mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 10V |
Leistung - max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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