IRF7755TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF7755TR |
| PNEDA Teilenummer | IRF7755TR |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7755TR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7755TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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IRF7755TR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 15V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V Leistung - max 68W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket LFPAK56D |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V Leistung - max 2.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V Leistung - max 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 103A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 17-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket ISOPLUS-DIL™ |
