DMC1030UFDBQ-7
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| Teilenummer | DMC1030UFDBQ-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMC1030UFDBQ-7 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.074 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC1030UFDBQ-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC1030UFDBQ-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC1030UFDBQ-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1003pF @ 6V |
| Leistung - max | 1.36W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type B) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 16V Leistung - max 750mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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