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DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3FB11BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer DF200R12W1H3FB11BOMA1
PNEDA Teilenummer DF200R12W1H3FB11BOMA1
Beschreibung MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.268
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDF200R12W1H3FB11BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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DF200R12W1H3FB11BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieEasyPACK™
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Leistung - max20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.45V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.15nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

330A

Leistung - max

1380W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

13mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-DCB

Lieferantengerätepaket

Y3-DCB

NXH80B120H2Q0SG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Dual Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Leistung - max

103W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

BSM50GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Leistung - max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT30GF60JU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Leistung - max

192W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

40µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.85nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

SOT-227

FMG1G100US60L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.84nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

7PM-GA

Lieferantengerätepaket

7PM-GA

Kürzlich verkauft

LTM2882HY-3#PBF

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IC TXRX ISOL HALF 2/2 32BGA

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TDK

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Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 5OUT 133MHZ 8SOIC

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