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APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Nur als Referenz

Teilenummer APT30GF60JU2
PNEDA Teilenummer APT30GF60JU2
Beschreibung IGBT 600V 58A 192W SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.208
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT30GF60JU2 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT30GF60JU2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APT30GF60JU2, APT30GF60JU2 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 531,9 KB)
PDFAPT30GF60JU2 Datenblatt Cover
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APT30GF60JU2 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)58A
Leistung - max192W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)40µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.85nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketSOT-227

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Powerex Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

4300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

45nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-20°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT45GP120J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.94nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FMS6G15US60S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Leistung - max

73W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.935nF @ 30V

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

25PM-AA

Lieferantengerätepaket

25PM-AA

FZ1200R12KF5NDSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Leistung - max

105W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.6nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

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