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MUBW10-12A7

MUBW10-12A7

Nur als Referenz

Teilenummer MUBW10-12A7
PNEDA Teilenummer MUBW10-12A7
Beschreibung CONVERTER/BRAKE/INVERTER 2.3VCE
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.564
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MUBW10-12A7 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMUBW10-12A7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MUBW10-12A7, MUBW10-12A7 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 164,89 KB)
PDFMUBW10-12A7 Datenblatt Cover
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MUBW10-12A7 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Leistung - max105W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)600µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.6nF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE2
LieferantengerätepaketE2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

169A

Leistung - max

694W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 160A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

6mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECO-PAC2

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

APT35GP120JDQ2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Leistung - max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.24nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FZ1200R17HE4HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

7800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

97nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGV25H120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Konfiguration

Boost Chopper, Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

156W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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