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APTGT100DSK60T3G

APTGT100DSK60T3G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT100DSK60T3G
PNEDA Teilenummer APTGT100DSK60T3G
Beschreibung IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.456
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT100DSK60T3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT100DSK60T3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT100DSK60T3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationDual Buck Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Leistung - max340W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.1nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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APTGT300A170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

BSM300GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

570A

Leistung - max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

22nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT300DA60D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

APTGF50DH120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

FP50R07N2E4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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