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CY7C138-25JXI

CY7C138-25JXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C138-25JXI
PNEDA Teilenummer CY7C138-25JXI
Beschreibung IC SRAM 32K PARALLEL 68PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C138-25JXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C138-25JXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C138-25JXI, CY7C138-25JXI Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 560,97 KB)
PDFCY7C138-25JXI Datenblatt Cover
CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 2 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 3 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 4 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 5 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 6 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 7 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 8 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 9 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 10 CY7C138-25JXI Datenblatt Seite 11

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CY7C138-25JXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße32Kb (4K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall68-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket68-PLCC (24.23x24.23)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Gb (512M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (64M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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