IS66WVC4M16ALL-7010BLI
Nur als Referenz
| Teilenummer | IS66WVC4M16ALL-7010BLI |
| PNEDA Teilenummer | IS66WVC4M16ALL-7010BLI |
| Beschreibung | IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.398 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IS66WVC4M16ALL-7010BLI Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS66WVC4M16ALL-7010BLI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IS66WVC4M16ALL-7010BLI, IS66WVC4M16ALL-7010BLI Datenblatt
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IS66WVC4M16ALL-7010BLI Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
| Zugriffszeit | 70ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 54-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 54-VFBGA (6x8) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 32Kb (2K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 68-BPGA Lieferantengerätepaket 68-PGA (29.46x29.46) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat RAM Technologie SARAM Speichergröße 128Kb (8K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 80-LQFP Lieferantengerätepaket 80-TQFP (14x14) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 4Tb (512G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
