S34MS08G201BHI003
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| Teilenummer | S34MS08G201BHI003 |
| PNEDA Teilenummer | S34MS08G201BHI003_33 |
| Beschreibung | IC FLASH 8G PARALLEL |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.986 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S34MS08G201BHI003 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S34MS08G201BHI003 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S34MS08G201BHI003 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | MS-2 |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
| Zugriffszeit | 45ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-BGA (11x9) |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MS-1 Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 63-VFBGA Lieferantengerätepaket 63-BGA (11x9) |
