CSD87352Q5D
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| Teilenummer | CSD87352Q5D |
| PNEDA Teilenummer | CSD87352Q5D |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 291.192 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD87352Q5D Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD87352Q5D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD87352Q5D Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
| Leistung - max | 8.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerLDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-LSON (5x6) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 25V Leistung - max 400mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.7W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFLGA Lieferantengerätepaket 4-Picostar (1.31x1.31) |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1225pF @ 25V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
