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SIF902EDZ-T1-E3

SIF902EDZ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SIF902EDZ-T1-E3
PNEDA Teilenummer SIF902EDZ-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
Hersteller Vishay Siliconix
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SIF902EDZ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIF902EDZ-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIF902EDZ-T1-E3, SIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 100,59 KB)
PDFSIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt Cover
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SIF902EDZ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.6W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 2x5
LieferantengerätepaketPowerPAK® (2x5)

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

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Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Rohm Semiconductor

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Leistung - max

272mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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