Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIF902EDZ-T1-E3

SIF902EDZ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SIF902EDZ-T1-E3
PNEDA Teilenummer SIF902EDZ-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.798
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SIF902EDZ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIF902EDZ-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIF902EDZ-T1-E3, SIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 100,59 KB)
PDFSIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt Cover
SIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SIF902EDZ-T1-E3 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SIF902EDZ-T1-E3 Datasheet
  • where to find SIF902EDZ-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIF902EDZ-T1-E3
  • SIF902EDZ-T1-E3 PDF Datasheet
  • SIF902EDZ-T1-E3 Stock

  • SIF902EDZ-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SIF902EDZ-T1-E3
  • SIF902EDZ-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIF902EDZ-T1-E3 Price
  • SIF902EDZ-T1-E3 Distributor

SIF902EDZ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.6W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 2x5
LieferantengerätepaketPowerPAK® (2x5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PMGD175XNEX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

870mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

252mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.65nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

81pF @ 15V

Leistung - max

260mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

IRF8910PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

NTZD3158PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Leistung - max

568W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

ALD1116PAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

Kürzlich verkauft

1N4148WT

1N4148WT

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

MB6S

MB6S

ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC

ADUM1400BRW

ADUM1400BRW

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

M41T00SM6F

M41T00SM6F

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOIC

CAT24M01WI-GT3

CAT24M01WI-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

FT230XS-U

FT230XS-U

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB SERIAL BASIC UART 16SSOP

AD8620ARZ

AD8620ARZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

FPF2125

FPF2125

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH ADVANCED SOT23

7914J-1-032

7914J-1-032

Bourns

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.1A 16V

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

PG1112H-TR

PG1112H-TR

Stanley Electric Co

LED GREEN DIFFUSED 2125 SMD

FP25R12KE3BOSA1

FP25R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 25A