CSD85302LT
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| Teilenummer | CSD85302LT |
| PNEDA Teilenummer | CSD85302LT |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 41.118 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD85302LT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | CSD85302LT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD85302LT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-XFLGA |
| Lieferantengerätepaket | 4-Picostar (1.31x1.31) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 10V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket PG-DSO-8 |
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