CSD86356Q5DT
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| Teilenummer | CSD86356Q5DT |
| PNEDA Teilenummer | CSD86356Q5DT |
| Beschreibung | SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.116 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD86356Q5DT Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD86356Q5DT |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD86356Q5DT Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V |
| Leistung - max | 12W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-VSON-CLIP (5x6) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 6V Leistung - max 8.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
