SIB900EDK-T1-GE3
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| Teilenummer | SIB900EDK-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIB900EDK-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.516 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIB900EDK-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIB900EDK-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIB900EDK-T1-GE3, SIB900EDK-T1-GE3 Datenblatt
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SIB900EDK-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 3.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
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