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CM50DY-12H

CM50DY-12H

Nur als Referenz

Teilenummer CM50DY-12H
PNEDA Teilenummer CM50DY-12H
Beschreibung IGBT MOD DUAL 600V 50A H SER
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 2.520
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CM50DY-12H Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCM50DY-12H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
CM50DY-12H, CM50DY-12H Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 57,83 KB)
PDFCM50DY-12H Datenblatt Cover
CM50DY-12H Datenblatt Seite 2 CM50DY-12H Datenblatt Seite 3 CM50DY-12H Datenblatt Seite 4

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CM50DY-12H Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
SerieIGBTMOD™
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Leistung - max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5nF @ 10V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Leistung - max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT150DH170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250A

Leistung - max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGT75DA170D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Leistung - max

520W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

FP15R12W1T4B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Leistung - max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

890pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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