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FF800R17KE3NOSA1

FF800R17KE3NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF800R17KE3NOSA1
PNEDA Teilenummer FF800R17KE3NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FF800R17KE3NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF800R17KE3NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF800R17KE3NOSA1, FF800R17KE3NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 418,25 KB)
PDFFF800R17KE3NOSA1 Datenblatt Cover
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FF800R17KE3NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max4450W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 800A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce72nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Leistung - max

23W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm)

Lieferantengerätepaket

23-DIP

FF1400R17IP4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1400A

Leistung - max

955000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 1400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-CPV362M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.2A

Leistung - max

23W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 3.9A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

FS50R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF75DSK120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

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IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP4

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