BUK764R2-80E,118
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| Teilenummer | BUK764R2-80E,118 |
| PNEDA Teilenummer | BUK764R2-80E-118 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.776 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BUK764R2-80E Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BUK764R2-80E,118 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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BUK764R2-80E Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10426pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 324W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28A (Ta), 203A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 330µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5530pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-264 (IXTK) Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1285pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 110W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252AA Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie SuperFET® III FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 306W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
