HUF76629D3ST

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Teilenummer | HUF76629D3ST |
PNEDA Teilenummer | HUF76629D3ST |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 21.930 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HUF76629D3ST Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | HUF76629D3ST |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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HUF76629D3ST Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | UltraFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1285pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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