Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFS6H800NT1G
PNEDA Teilenummer NVMFS6H800NT1G
Beschreibung TRENCH 8 80V NFET
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 17.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVMFS6H800NT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFS6H800NT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NVMFS6H800NT1G, NVMFS6H800NT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 137,71 KB)
PDFNVMFS6H800NWFT1G Datenblatt Cover
NVMFS6H800NWFT1G Datenblatt Seite 2 NVMFS6H800NWFT1G Datenblatt Seite 3 NVMFS6H800NWFT1G Datenblatt Seite 4 NVMFS6H800NWFT1G Datenblatt Seite 5 NVMFS6H800NWFT1G Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVMFS6H800NT1G Datasheet
  • where to find NVMFS6H800NT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVMFS6H800NT1G
  • NVMFS6H800NT1G PDF Datasheet
  • NVMFS6H800NT1G Stock

  • NVMFS6H800NT1G Pinout
  • Datasheet NVMFS6H800NT1G
  • NVMFS6H800NT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVMFS6H800NT1G Price
  • NVMFS6H800NT1G Distributor

NVMFS6H800NT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.28A (Ta), 203A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 330µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5530pF @ 40V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPD60R520CPBTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

66W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPB080N06N G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

214W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPI60R125CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

208W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STP6NK60Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

905pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

ZXMN6A09GTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1407pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

RT6238BHGQUF

RT6238BHGQUF

Richtek USA Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 14UQFN

NC7WZ17P6X

NC7WZ17P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

GCM1885C1H6R8BA16D

GCM1885C1H6R8BA16D

Murata

CAP CER 6.8PF 50V C0G/NP0 0603

MAX8556ETE+T

MAX8556ETE+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

AD7938BSUZ-6REEL7

AD7938BSUZ-6REEL7

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 32TQFP

FM24W256-GTR

FM24W256-GTR

Cypress Semiconductor

IC FRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

EN5339QI

EN5339QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.6V 14W

PESD0402-140

PESD0402-140

Littelfuse

TVS DIODE 14V 40V 0402

MCP4921T-E/SN

MCP4921T-E/SN

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

AT24C1024BW-SH-T

AT24C1024BW-SH-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

DMF3Z5R5H474M3DTA0

DMF3Z5R5H474M3DTA0

Murata

CAP SUPER 470MF 5.5V 3-SMD