Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BSS138DW-7

BSS138DW-7

Nur als Referenz

Teilenummer BSS138DW-7
PNEDA Teilenummer BSS138DW-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.266
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSS138DW-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSS138DW-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
BSS138DW-7, BSS138DW-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 214,15 KB)
PDFBSS138DW-7 Datenblatt Cover
BSS138DW-7 Datenblatt Seite 2 BSS138DW-7 Datenblatt Seite 3 BSS138DW-7 Datenblatt Seite 4 BSS138DW-7 Datenblatt Seite 5 BSS138DW-7 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BSS138DW-7 Datasheet
  • where to find BSS138DW-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated BSS138DW-7
  • BSS138DW-7 PDF Datasheet
  • BSS138DW-7 Stock

  • BSS138DW-7 Pinout
  • Datasheet BSS138DW-7
  • BSS138DW-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • BSS138DW-7 Price
  • BSS138DW-7 Distributor

BSS138DW-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Leistung - max200mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTC60HM24T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Super Junction

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Leistung - max

462W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

AOC3864

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XDFN

Lieferantengerätepaket

6-DFN (2.7x1.8)

IRF6802SDTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 13V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric SA

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ SA

TPCF8402(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V

Leistung - max

330mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

VS-8 (2.9x1.5)

IRF7338PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 9V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

74F175SCX

74F175SCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 4BIT 16SOIC

SMBJ5.0CA

SMBJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

MC33072DR2G

MC33072DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

PESD0402-140

PESD0402-140

Littelfuse

TVS DIODE 14V 40V 0402

USBLC6-2SC6

USBLC6-2SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

SMAJ150CA-E3/61

SMAJ150CA-E3/61

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 150V 243V DO214AC

DEA202450BT-1294C1-H

DEA202450BT-1294C1-H

TDK

FILTER BANDPASS WLAN&BLUETOOTH

PI4ULS5V202UEX

PI4ULS5V202UEX

Diodes Incorporated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MSOP

AD8620ARZ

AD8620ARZ

Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

ASDXRRX005KGAA5

ASDXRRX005KGAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3