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TPCF8402(TE85L,F,M

TPCF8402(TE85L,F,M

Nur als Referenz

Teilenummer TPCF8402(TE85L,F,M
PNEDA Teilenummer TPCF8402-TE85L-F-M
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCF8402(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPCF8402(TE85L,F,M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TPCF8402(TE85L, TPCF8402(TE85L Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 268,74 KB)
PDFTPCF8402(TE85L Datenblatt Cover
TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 2 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 3 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 4 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 5 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 6 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 7 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 8 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 9 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 10 TPCF8402(TE85L Datenblatt Seite 11

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TPCF8402(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds470pF @ 10V
Leistung - max330mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
LieferantengerätepaketVS-8 (2.9x1.5)

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

10mV @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 30V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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8-SOIC

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Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.42V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.04A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 10V

Leistung - max

890mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 32V

Leistung - max

1.39W

Betriebstemperatur

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